Компанія Motorola Mobility презентувала оновлені смартфони серії Moto G – Moto G5S і Moto G5SPlus, які належать до середнього цінового сегменту.

Компанія Motorola Mobility презентувала оновлені смартфони серії Moto G – Moto G5S і Moto G5SPlus, які належать до середнього цінового сегменту , передає Ukr.Media.

Смартфони з металевим корпусом виконані в однаковому дизайні і відрізняються лише розмірами. Модель Motorola Moto G5S отримала 3 ГБ оперативної і 32 ГБ вбудованої пам'яті з можливістю розширення до 128 ГБ через microSD. Вона оснащена 5,2-дюймовим Full HD дисплеєм, захищеним склом Corning Gorilla Glass 3. У ролі апаратної платформи використовується восьмиядерний процесор Snapdragon 430 з робочою частотою 1,4 ГГц.

Смартфон Moto G5S Plus отримав 5,5-дюймовий Full HD дисплей, захищений склом Corning Gorilla Glass 3. Апаратна платформа побудована на більш потужному процесорі Qualcomm Snapdragon 625 з частотою 2,0 ГГц, 3 ГБ оперативної і 32 ГБ вбудованої пам'яті з можливістю розширення до 128 ГБ через microSD.

Moto G5S має камеру на 16 Мп, у той час, як простої моделі G5 було 13 Мп. При цьому модель G5S Plus отримала подвійну камеру з роздільною здатністю 13 Мп. Другий модуль використовується для чорно-білої фотографії та програмного розмивання заднього фону. Також у смартфонів є сканер відбитків пальців під дисплеєм.

Обидві моделі підтримують швидку зарядку TurboPower. Виробник обіцяє, що G5S за 15 хвилин заряджається на п'ять годин роботи, а версія Plus – на шість годин. Смартфони працюють на останній версії системи Android 7.0 Nougat.

Компанія Lenovo, яка володіє брендом Motorola, поки що не оголосила старт продажів і ціни нових смартфонів. Але за даними інсайдера Роланда Куандта, смартфони будуть коштувати 300 і 330 євро.

Характеристики Moto G5S / G5S Plus:

Дисплей – 5,2 дюйма, 1 920 ? 1. 080 пікселів / 5,5 дюйма, 1 920 ? 1. 080 пікселів.

Чіп – Snapdragon 420, 8 ядер, 1,4 ГГц / Snapdragon 625, 8 ядер, 2,0 ГГц.

Пам'ять – 2, 3 або 4 ГБ оперативної і 16, 32 або 64 ГБ постійної.

Акумулятор – 2 800 ма · год / 3 000 мА · год.